مشخصه یابی فیلم نازک (نانوذره) zns تهیه شده به روش تبخیر گرمایی
پایان نامه
- دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه
- نویسنده ندا احمدی خاوه
- استاد راهنما حسن رئیسیان امیری محمرضا خانلری رسول ملک فر
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1388
چکیده
لایه¬های نازک نیمرسانای سولفید روی (zns) از جمله نیمه هادیهای ترکیبی گروههای ii-vi می¬باشد که به دلیل کاربرد وسیعش دراپتو الکترونیک، مانند دیودهای منتشرکننده نور آبی، قطعات الکترولومینسانس و سلولهای فوتو ولتائیک تحقیقات فراوانی روی آن صورت گرفته است. در این تحقیق لایه¬های نازک سولفید در دو دمای مختلف زیر لایهc º 25 وcº 200 و در ضخامتهای مختلفnm 600-nm 100 بر روی زیرلایه شیشه¬ای به روش تبخیر در خلاء لایه¬نشانی شدند. برای مطالعه مورفولوژی، اندازه دانه¬ها، ساختار لایه¬ها و شفافیت لایه¬ها از آنالیزهای afm,xrd stm, و اسپکتروفوتومتری استفاده شد. طیف پراش اشعه x نشان داد که لایه¬های zns تهیه شده در دمای ℃25 در ضخامت nm100 دارای ساختار هگزاگونال با جهت رشد ترجیحی(002) و در ضخامتnm500 دارای ساختار مکعبی با جهت ترجیحی(111) هستند. با افزایش دمای زیر لایه تا ℃200 ماده ساختار مکعبی خود را حفظ کرد. گاف انرژی این لایه¬ها با افزایش دمای زیرلایه یا کاهش ضخامت لایه¬ها، کاهش می¬یابد. بطوریکه با افزایش ضخامت از nm100 تا nm600 گاف انرژی از ev98/3 تاev 56/3 کاهش می¬¬یابد.
منابع مشابه
بررسی خواص اپتیکی فیلم نازک ZnS به روش تبخیر در خلاء (PVD)
Thin layers of ZnS in two different temperature conditions of 25 or 2000C and also with different thicknesses from 100nm to 600nm were prepared by physical vapor deposition. Absorption and also transmission spectra of the films were obtained to determine absorption coefficient, extinction constant and optical band gap of the films. It was found that by decreasing the substrate temperature or de...
متن کاملبررسی خواص اپتیکی فیلم نازک zns به روش تبخیر در خلاء (pvd)
لایه های نازک zns در دو دمای مختلف زیر لایه 25oc و 200oc و در ضخامت های مختلف 100nm-600nm بر روی زیرلایه شیشه به روش تبخیر در خلاء لایه نشانی شدند. طیف جذب و عبور برای تعیین گاف انرژی، ضریب جذب و ثابت خاموشی نمونه ها تهیه گردید. از بررسی این طیف ها مشخص شد که با کاهش دمای زیر لایه گاف اپتیکی نمونه ها کاهش وبا کاهش ضخامت آنها گاف اپتیکی افزایش می یابد. این پدیده می تواند به اثر کوانتمی سایز ذرات...
متن کاملمشخصه یابی فیلم های نازک sno2:fe تهیه شده به روش تبخیر پرتو الکترونی و مطالعه رفتار فرومغناطیسی در آنها
چکیده ندارد.
15 صفحه اولرشد و مشخصه یابی ساختاری و الکتریکی نانو ذرات Si تهیه شده به روش تبخیر با باریکه الکترونی
نانو ذرات Siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه p-Si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °85 توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در ن...
متن کاملبررسی یکنواختی لایه نازک SiO2 ، تولید شده با روش تبخیر باریکه الکترون و تبخیر گرمایی
In this paper, SiO2 thin film is produced by two methods: at the first method, SiO2 is evaporated by the electron gun and oxygen gas is injected to compensate for oxygen loss due to dissociation. At the second method, silicon monoxide is evaporated by thermal evaporation and during the evaporation time, substrate is bombarded by the ion oxygen that produced by an ion source. The refraction inde...
متن کاملساخت و مشخصه یابی اپتیکی و لومینسانس لایه های نازک sno2 به روش تبخیر گرمایی
اکسیدهای نیمه رسانا باساختار نانویی، به دلیل خواص منحصربه فرد فیزیکی شان در اثرات تحدید کوانتومی، توجهات زیادی را به خود جلب کرده اند. از میان نیمه رساناها دی اکسیدقلع (sno2) با گاف انرژی پهن (ev 3.6 دردمای k 300)، یک ماده کاربردی کلیدی می باشدکه به طور گسترده ای برای وسایل اپتوالکترونیک، سنسورهای گازی، الکترودهای رسانای شفاف و کاتالیست های پشتیبان به کارمی روند. در این تحقیق فیلم های نازک دی ...
منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023